北京：加速非侵入式脑机接口产品的迭代升级，加快侵入式脑机接口技术的研发与临床试验

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IT之家 1 月 9 日消息，北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会、北京市经济和信息化局 1 月 7 日印发《加快北京市脑机接口创新发展行动方案（2025-2030 年）》的通知，要求推动脑机接口科技创新与产业培育全链条加速突破。通知提到，加速非侵入式脑机接口产品的迭代升级，加快侵入式脑机接口技术的研发与临床试验，研制一批安全易用的标志性创新产品；以场景建设为牵引，扩大脑机接口新技术与新产品在疾病干预、康复训练、教育娱乐等典型场景的规模应用。▲ 来自天津大学、北京工业大学、天津中医药大学、南方科技大学的研究人员合作设计出一款八通道高压神经刺激集成电路，采用双相指数波形输出和电荷平衡，极大提升了神经刺激的效率和安全性IT之家附通知中的发展目标要求如下：到 2027 年，产出一批重大原创性成果，突破脑机接口电极、芯片、编解码算法等关键核心技术，推动小型化高通量植入式传感器、高通道采集刺激一体化植入式芯片、植入式微型电池等产品性能达到国际领先水平，打造世界领先的智能脑机系统，并在临床上得到初步应用。培育 3-5 家具有核心竞争力的潜在独角兽和独角兽企业，进一步提升产业引领力。推进创新源头与产业应用紧密衔接、深度融合，建成 2-3 个产品特色体验和展示中心，加速推动一批脑机接口新技术、新产品、新模式在多场景的落地应用。到 2030 年，脑机接口产业生态初步形成，在前沿基础研究、关键核心技术攻关、重大产品研发与创制、应用场景搭建等方面取得突破，技术创