6.4 → 12.8 Gbps！AMD 提出 HB-DIMM 新架构，DDR5 内存性能直接翻倍

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IT之家 9 月 27 日消息，科技媒体 TechSpot 昨日（9 月 26 日）发布博文，报道称 AMD 获批名为“高带宽内存模组架构”的新专利，旨在解决 DDR5 内存面临的性能瓶颈。这项创新设计可将内存总线的传输速度从 6.4 Gbps 翻倍至 12.8 Gbps，同时降低延迟、提升信号完整性。IT之家援引博文介绍，这项专利在不改变现有 DRAM 芯片基础的情况下，采用高带宽双列直插内存模组（HB-DIMM）方案实现性能提升。具体来说，该设计并非重新研发 DRAM 芯片，而是耦合多个 DRAM 设备与先进的数据缓冲芯片。高带宽双列直插内存模组（HB-DIMM）方案图示通过这种方式，缓冲芯片能够有效管理信号流，让输出性能翻倍，最终将内存总线的传输速度从目前标准的 6.4 Gbps 提升至 12.8 Gbps，实现性能的跨越式增长。该架构的核心是一个寄存器时钟驱动电路，它能解码内存命令，并利用芯片标识符位进行路由。这种方法允许模组将任务分配给可独立寻址的“伪通道”（pseudo channels），从而实现真正的并行访问，有效突破了传统顺序访问模式对数据吞吐量的限制。这标志着内存访问方式的一次重要革新，为提升系统整体效率奠定了基础。HB-DIMM 内存架构此外，该系统还支持 1n 和 2n 两种操作模式，为时钟和信号管理提供了高度灵活性，有助于优化时序、确保信号完整性。AMD 还采用了一种简化的非交错传输格式，替代了传统的交错配置，此举旨在进一步降低数据传