英特尔 18A 工艺节点技术细节：较 Intel 3 实现 30% 以上密度提升，同频功耗降低 36%

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2025/6/3cc2ae5d-2ddb-4f65-9025-7cb6f842dfa0.png?x-bce-process=image/format,f_auto

IT之家 6 月 22 日消息，英特尔在 2025 年超大规模集成电路技术与电路研讨会（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工艺节点技术细节。该节点将取代现有 Intel 3 节点，优化频率与电压调节能力，后续将应用于消费级处理器“Panther Lake”以及服务器处理器 Clearwater Forest（纯 E 核 Xeon）等产品。据英特尔工程师介绍，采用 RibbonFET（全环绕栅极 GAA）与 PowerVia（背侧供电）技术的 Intel 18A 制程相较 Intel 3 实现了 30% 以上密度提升与“全节点性能进步”，同时提供高性能（HP）、高密度（HD）库，兼具完整设计能力与易用性。得益于 RibbonFET 技术，Intel 18A 相较于使用 FinFET 的 Intel 3 实现大幅跨越。RibbonFET 主要优势在于：优化栅极静电特性，单位面积有效宽度更大、寄生电容更低，设计灵活性进一步提升；为 180H / 160H 库引入多种 Ribbon 宽度，通过 DTCO（设计工艺协同优化）平衡逻辑功耗 / 漏电与性能，为 SRAM 定制 Bitcell 优化的 Ribbon 宽度 —— 全面增强 18A 节点芯片性能与设计潜力。另外，18A 采用了 PowerVia 技术，以背侧供电走线替代前侧走线，实现供电网络解耦与独立优化，从而