美光抢滩 1γ DDR5 内存：最少化 EUV 使用，加速量产尖端 DRAM

图片地址：https://img.ithome.com/newsuploadfiles/2025/3/a5fd6e42-5abf-4c3e-a189-fa172eb5f2a2.jpg?x-bce-process=image/format,f_auto

IT之家 3 月 11 日消息，美光（Micron）于今年 2 月向英特尔（Intel）和 AMD 等客户交付 1γ（gamma）DDR5 样品，成为内存行业中首家实现这一突破的企业。韩媒 chosun 昨日（3 月 10 日）发布博文，报道称美光在交付的样品中，其中只有一层使用极紫外光刻（EUV）设备，公司计划通过减少 EUV 的使用，来加速量产尖端 DRAM。IT之家援引博文介绍，美光选择减少对 EUV 的依赖，转而更多采用成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）工艺。根据 ASML 的数据，下一代深紫外光刻（DUV）系统使用 193 纳米波长的氩氟激光，可实现 38 纳米特征尺寸的打印；而 EUV 光刻使用 13.5 纳米波长的光，精度更高，但成本也更高。美光表示，EUV 技术尚未完全稳定，因此仅在必要时使用，这一策略短期内可能提升量产速度，但长期来看，可能影响芯片的良率和性能。与美光不同，三星和 SK 海力士在 DRAM 技术发展中更依赖 EUV 层。三星自 2020 年起在内存生产中采用 EUV，计划在其第 6 代 10 纳米 DRAM（1c）中应用超过 5 个 EUV 层。SK 海力士也在 2021 年引入 EUV 设备，并计划在下一代 1c DRAM 中采用类似策略。尽管美光减少对 EUV 的依赖可能短期内节省成本，但长期可能面临技术瓶颈。行业人士指出，ArFi 工艺需要更多步骤，可能导致良率下降。随着 EUV 层数的增加，尤其是超过三层后，技术难度将显