英特尔 18A 制程实测：M0 间距 36nm、GAA 间距 76nm，Power Via 仅用于逻辑芯片

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IT之家 2 月 21 日消息，分析师 @jukan05 今日转发了一份关于英特尔 Panther Lake 的深度技术分析报告，揭示了首款基于 Intel 18A 制程工艺的 CPU 产品的关键设计参数。这份报告通过对芯片物理实现的详细拆解，呈现了 18A 工艺在初期量产阶段的真实技术面貌，同时也勾勒出英特尔未来 14A 工艺的技术演进路径。IT之家下面就带大家来看一下。核心尺寸与单元设计Panther Lake 芯片的裸晶圆尺寸（Die size）约为 110mm²，芯片内所有区域，包括逻辑芯片和 SRAM 芯片，均采用了高性能（HP）库，而非通常用于提高密度的高密度（HD）库。具体而言，逻辑芯片部分采用 G50H180 规格，SRAM 芯片面积为 0.023μm²，这与英特尔此前披露的信息一致。在金属层间距上，其最小金属间距（M0）为 36nm。尽管 Intel 18A 宣称可实现 32nm 的 M0 间距，但这仅适用于 HD 库（对应 H160）。与业界常见的 HD / HP 同间距但晶体管数量不同的做法不同，18A 的 HD 和 HP 库均维持 5 个鳍片，但 HD 库采用 32nm 间距，而 HP 库则为 36nm 间距。在金属层方面，前端（FS）共有 15 层金属层，后端（BS）共有 6 层金属层，其中 BM5 层实质上可视为 RDL（重分布层）。GAA 间距与背面供电的妥协GAA 全环绕栅极晶体管的间距是衡量工艺先进性的关键指标。Panther